SciBook / 재료공학

재료과학Materials Science and Engineering · 대학 2–3학년 · 반도체 기초

배선은 왜 알루미늄에서 구리로, 이제는 코발트와 루테늄으로 바뀌는지, 1 µm 질화막 하나가 300 mm 웨이퍼를 몇 µm나 휘게 하는지, 얇게 간 다이가 왜 어떤 것은 버티고 어떤 것은 깨지는지, 솔더 범프가 온도 순환 몇 번 만에 갈라지는지, 패키지 몰딩에 왜 실리카를 85 %나 섞는지, 같은 구리라도 도금 직후와 어닐 뒤의 저항이 왜 다른지 — 칩 속 재료가 그렇게 골라지고 다듬어진 이유는 구조–공정–성질의 사슬로 설명된다. 이 책은 결정립과 전위, 균열을 직접 움직이는 데서 시작한다. 화면 속 결정립이 서로 먹으며 자라는 것을 보고, 전위를 밀어 미끄럼을 일으키고, 균열 끝을 끌어 파괴 인성을 재고, 상태도 위의 점을 끌어 미세조직을 그린 다음 식으로 요약한다. 범위는 재료공학과 재료과학 개론 한 학기와 기계적 성질·상변태·재료 분석의 핵심이고, 장마다 반도체에서는 상자로 실무와 연결한다.

결정립 위를 끌어 냉간 가공해 보세요 · 미세 결정립이 생겨 강해졌다가 어닐하며 다시 자랍니다

목차

5부 18장과 부록 2개. 1–4장은 구조와 결함·확산, 5–7장은 기계적 성질, 8–10장은 상태도·상변태·응고와 미세조직, 11–14장은 금속·세라믹·고분자·복합재료, 15–18장은 기능 성질·신뢰성·재료 분석이다.

제1부 구조와 결함

CHAPTER 01

재료와 재료 선택

금속·세라믹·고분자·반도체·복합재료의 분류, 구조–공정–성질–성능의 관계, 재료 성질의 범위와 단위, 애시비 성질 지도와 성능 지수(가볍고 강한 보, 열충격, 열 분산), 재료 선택의 절차와 절충 — 칩 한 개 속에 들어간 재료 지도.

시뮬레이터 5 · 인터랙티브 17 · 예제 8 · 문제 16
애시비 도표성능 지수
CHAPTER 02

원자 결합과 결정 구조

결합 에너지 곡선과 탄성률·녹는점·열팽창의 관계, 금속 결합과 FCC·BCC·HCP, 원자 충진율과 이론 밀도, 틈새 자리, 이온 결정의 반지름 비와 배위수(NaCl·CsCl·형석·페로브스카이트), 공유 결정(다이아몬드·섬아연석·우르짜이트), 다형과 동소체, 단결정·다결정·비정질, 밀러 지수와 선·면 밀도 — 실리콘 웨이퍼와 GaN·SiC 기판.

시뮬레이터 8 · 인터랙티브 21 · 예제 8 · 문제 16
FCC·BCC·HCP배위수
CHAPTER 03

결정 결함

공공과 틈새 원자의 평형 농도, 쇼트키·프렌켈 결함과 크뢰거–빙크 표기, 치환·틈새 고용체와 흄–로더리 규칙, 전위(칼날·나사·혼합)와 버거스 벡터, 전위의 응력장과 에너지, 결정립계·쌍정·적층 결함, 결정립 크기 측정(ASTM 번호·선분 교차법), 기공과 석출물 — 웨이퍼 슬립과 결함 검사.

시뮬레이터 7 · 인터랙티브 20 · 예제 8 · 문제 16
전위결정립계
CHAPTER 04

재료 속 확산

확산 기구 복습과 상관 인자, 상호 확산과 다르켄 식, 커켄달 효과와 보이드, 볼츠만–마타노 해석, 결정립계·전위·표면을 따라가는 단회로 확산(해리슨 A·B·C 영역), 이온 결정과 산화물 속 확산, 반응 확산과 금속간 화합물 성장, 확산 방벽(Ta/TaN·TiN) — 구리 배선 방벽과 실리사이드 형성.

시뮬레이터 7 · 인터랙티브 21 · 예제 8 · 문제 16
커켄달 효과확산 방벽

제2부 기계적 성질

CHAPTER 05

응력·변형과 탄성

응력·변형 텐서와 주응력, 모어 원, 등방성 훅 법칙과 E·ν·G·K, 탄성률의 원자적 기원, 단결정 실리콘의 이방성 탄성, 열변형과 열응력, 박막 응력과 스토니 식, 이층판의 휨과 웨이퍼 휨(bow·warp), 폰 미제스 등가 응력 — 박막 증착 응력과 웨이퍼 휨 측정.

시뮬레이터 7 · 인터랙티브 21 · 예제 8 · 문제 16
훅 법칙스토니 식
CHAPTER 06

소성 변형과 강화 기구

인장 시험(공칭·진응력, 항복·인장 강도·연신율, 홀로몬 식과 네킹), 전위 운동과 슬립계, 슈미트 법칙과 임계 분해 전단 응력, 전위 증식과 가공 경화(테일러 식), 결정립 미세화(홀–페치)·고용·석출(오로완) 강화, 경도와 나노압입(올리버–파르), 회복·재결정·결정립 성장 — 배선 금속의 강도와 나노압입 측정.

시뮬레이터 8 · 인터랙티브 18 · 예제 8 · 문제 16
슈미트 법칙홀–페치
CHAPTER 07

파괴·피로·크리프

이론 강도와 결함, 그리피스 이론, 응력 확대 계수와 파괴 인성, 연성–취성 전이, 와이블 통계와 크기 효과, 피로(S–N 곡선·바스킨·코핀–맨슨·평균 응력·마이너 법칙)와 파리스 균열 성장, 크리프 단계와 노턴 식, 라슨–밀러 변수, 변형 기구 지도 — 다이 강도와 웨이퍼 파손, 솔더 접합 피로.

시뮬레이터 8 · 인터랙티브 24 · 예제 8 · 문제 16
파괴 인성와이블 강도

제3부 상변태와 미세조직

CHAPTER 08

상태도와 미세조직

상태도 읽기 복습(상·조성·분율), 전율 고용체의 냉각과 유핵 조직, 공정계(Pb–Sn·Sn–Ag–Cu)의 아공정·공정·과공정 조직과 미세 구성 요소, 공석 반응과 Fe–Fe₃C 상태도, 펄라이트·초석 페라이트·시멘타이트, 포정 반응, 금속간 화합물(Cu–Sn·Ni–Sn), 삼원 상태도 읽기 — 무연 솔더와 범프의 IMC.

시뮬레이터 6 · 인터랙티브 18 · 예제 8 · 문제 16
공정 조직Fe–C 상태도
CHAPTER 09

상변태 속도론

고체 속 핵생성(균질·불균질, 변형 에너지), 핵생성 속도와 성장 속도의 과냉 의존성, 존슨–멜–아브라미(JMAK) 식과 아브라미 지수, TTT·CCT 도표와 강의 열처리, 마르텐사이트 변태(코이스티넨–마르부르거), 석출 경화와 시효, 오스트발트 숙성(LSW), 스피노달 분해(칸–힐리아드) — 비정질 실리콘의 고상 결정화.

시뮬레이터 9 · 인터랙티브 21 · 예제 8 · 문제 16
JMAK 식TTT 도표
CHAPTER 10

응고·결정 성장과 박막 미세조직

응고의 과냉과 계면, 조성적 과냉과 셀·덴드라이트, 덴드라이트 팔 간격과 냉각 속도, 초크랄스키 성장의 열 균형과 V/G(보론코프) 기준, 에피택시와 격자 불일치, 박막 구조 영역 모형(손턴), 결정립 성장(정상·비정상)과 포츠 모형, 집합 조직, 구리 자가 어닐링과 레이저 어닐 — 잉곳의 COP와 배선 결정립.

시뮬레이터 6 · 인터랙티브 17 · 예제 8 · 문제 16
조성적 과냉구조 영역 모형

제4부 재료의 종류

CHAPTER 11

금속과 합금

철강의 분류와 열처리(담금질·뜨임·경화능), 알루미늄·구리·티타늄·니켈 합금, 내화 금속(W·Mo·Ta), 형상 기억 합금, 금속 가공(주조·압연·단조·분말 야금)과 가공 경화, 배선 금속의 선택(Al→Cu→Co·Ru, 저항률과 평균 자유 행로), 솔더와 접합 금속 — 텅스텐 플러그와 차세대 배선 금속.

시뮬레이터 6 · 인터랙티브 19 · 예제 7 · 문제 16
열처리배선 금속
CHAPTER 12

세라믹과 유리

세라믹의 결합과 결정 구조, 규산염 사면체와 실리카, 유리의 구조와 유리 전이, 점도–온도 관계(VFT)와 작업점, 소결의 구동력과 치밀화, 세라믹의 취성·강도 분포·열충격 저항, 구조·기능 세라믹(Al₂O₃·AlN·SiC·Si₃N₄·ZrO₂·Y₂O₃) — 석영 부품, 정전척, 플라스마 내식 코팅.

시뮬레이터 6 · 인터랙티브 23 · 예제 9 · 문제 16
유리 전이소결
CHAPTER 13

고분자

중합과 사슬 구조, 분자량 분포(Mₙ·M_w·분산도), 무작위 걸음 사슬과 회전 반지름, 결정도와 구정, 유리 전이(폭스 식·WLF 식), 점탄성(맥스웰·켈빈–보이트·표준 선형 고체, 응력 완화와 크리프, 저장·손실 탄성률), 고무 탄성의 엔트로피 기원, 열경화성 수지의 경화와 겔화 — 포토레지스트, 폴리이미드, EMC·언더필, CMP 패드.

시뮬레이터 8 · 인터랙티브 19 · 예제 8 · 문제 16
유리 전이점탄성
CHAPTER 14

복합재료

복합재료의 분류, 혼합 법칙과 보이트·로이스 경계, 하신–슈트리크만 경계, 섬유 강화(하중 분담·임계 섬유 길이·이방성), 할핀–차이 식, 입자 충전재의 열팽창(터너·커너)과 열전도(맥스웰), 적층판과 휨, 복합재료의 파괴 — 패키지 기판·EMC 충전재·열계면 재료(TIM).

시뮬레이터 7 · 인터랙티브 21 · 예제 8 · 문제 16
혼합 법칙충전재

제5부 기능 성질과 신뢰성

CHAPTER 15

전기적·유전적 성질

전도도의 범위와 띠 그림, 금속 저항률(마티센 규칙·온도 계수·노르트하임 합금 저항), 박막·배선 저항과 크기 효과, 반도체 도핑과 저항률, 이온 전도, 분극 기구와 유전율의 주파수 의존(디바이 완화), 유전 손실과 절연 파괴, 강유전체·압전체와 이력 곡선, high-k와 EOT — 게이트 절연막과 강유전 메모리 재료.

시뮬레이터 8 · 인터랙티브 21 · 예제 8 · 문제 16
마티센 규칙유전 완화
CHAPTER 16

열적·광학적 성질

열용량 복습, 열팽창의 원자적 기원(비조화 퍼텐셜)과 그뤼나이젠 관계, 열팽창 불일치, 열전도(전자·포논, 비데만–프란츠, 박막과 계면 열저항), 열충격 저항, 빛과 재료(굴절·반사·흡수·투과), 분산식(코시·셀마이어), 띠틈과 색·투명도, 타우크 그림, 발광과 투명 전도막 — 패키지 열 설계와 광학 박막 재료.

시뮬레이터 7 · 인터랙티브 20 · 예제 8 · 문제 16
열팽창굴절률
CHAPTER 17

재료 열화와 신뢰성

고온 산화와 필링–베드워스 비, 산화 속도 법칙, 부식의 형태(균일·공식·틈·갈바닉·응력 부식), 일렉트로마이그레이션(블랙 식·블레흐 길이·보이드와 힐록), 응력 이동, 열기계 피로와 솔더 접합 수명(노리스–란츠베르크), 주석 휘스커, 수분 흡수와 팝콘 균열, 고분자 열화 — 배선·패키지 신뢰성 시험.

시뮬레이터 7 · 인터랙티브 21 · 예제 8 · 문제 16
일렉트로마이그레이션블랙 식
CHAPTER 18

재료 분석과 특성 평가

X선 회절(상 분석·셰러 결정립 크기·윌리엄슨–홀·sin²ψ 잔류 응력·집합 조직), 전자–시료 상호작용과 상호작용 부피, SEM·TEM의 분해능과 대비, EDS와 특성 X선(모즐리 법칙), XPS와 결합 에너지·분석 깊이, SIMS 깊이 분포, AFM 거칠기, 분석법 고르기 — 불량 분석과 공정 계측.

시뮬레이터 7 · 인터랙티브 18 · 예제 8 · 문제 16
XRDSIMS

부록

이 교과서로 공부하는 법

예측하고 → 미세조직을 직접 움직여 보고 → 식으로 확인하고 → 현장과 잇는다.

PREDICT먼저 예측시뮬레이터는 결과를 예측해야 열린다. 결정립을 절반으로 줄이면 강도가 얼마나 오르는지, 균열 길이를 네 배로 하면 파괴 응력이 어떻게 되는지, 냉각을 빨리 하면 어떤 조직이 남는지 먼저 짐작한다.
SIMULATE미세조직에서 출발포츠 모형으로 결정립이 자라고, 칸–힐리아드 식으로 두 상이 갈라지고, 핵이 생겨 자라며 아브라미 곡선을 그리고, 석출물이 조대화하는 모습을 본다. 성질 공식은 그 미세조직을 요약한 것이다.
DRAG끌어서 맞춘다모어 원 위의 점을 돌려 주응력을 읽고, 전위를 밀어 응력장을 느끼고, 균열 끝을 끌어 임계 길이를 찾고, 상태도 위에서 냉각 경로를 그리고, 성질 지도에서 재료를 고른다.
SEMI반도체에서는장마다 웨이퍼 결함, 배선 방벽, 박막 응력과 웨이퍼 휨, 다이 강도, 솔더·범프의 IMC와 피로, 잉곳 성장, 배선 금속 선택, 정전척 세라믹, 레지스트와 EMC, 게이트 절연막, 일렉트로마이그레이션, 불량 분석처럼 그 개념이 쓰이는 현장을 보이고 SemiBooks의 해당 장으로 잇는다.
PROBLEM자동 채점예제는 전략–풀이–검토로, 연습문제는 숫자를 넣으면 바로 채점한다. 드릴은 숫자를 바꿔 무한히 다시 낸다.

학습 경로

한 학기 강의 (15주)

  1. 1주 1·2장 재료 선택, 결합과 결정 구조
  2. 2주 3장 결정 결함
  3. 3주 4장 재료 속 확산
  4. 4주 5장 응력·변형과 탄성
  5. 5주 6장 소성 변형과 강화 기구
  6. 6주 7장 파괴·피로·크리프
  7. 7주 8장 상태도와 미세조직
  8. 8주 중간고사
  9. 9주 9장 상변태 속도론
  10. 10주 10·11장 응고와 결정 성장, 금속과 합금
  11. 11주 12장 세라믹과 유리
  12. 12주 13·14장 고분자, 복합재료
  13. 13주 15·16장 전기·유전·열·광학 성질
  14. 14주 17·18장 중 골라서 (신뢰성·재료 분석)
  15. 15주 기말고사

실무자 압축 과정 (6회)

  1. 1회 1·2·3장 — 칩 속 재료 지도, 결정과 결함
  2. 2회 4·10장 — 확산 방벽, 잉곳·에피·박막 미세조직
  3. 3회 5·6장 — 박막 응력과 웨이퍼 휨, 배선 금속의 강도와 나노압입
  4. 4회 7·8장 — 다이 강도와 솔더 피로, 솔더 상태도와 IMC
  5. 5회 13·14·16장 — 레지스트·EMC·언더필, 충전재와 열팽창·열전도
  6. 6회 15·17·18장 — 배선 저항과 유전막, 일렉트로마이그레이션, 불량 분석

미리 알면 좋은 것: 일반화학의 원자 구조·결합, 일반물리학의 탄성과 열. 함께 읽을 책: 고체물리의 결정·결함·띠·유전체, 열·통계물리와 물리화학의 상태도·확산·표면, 확률과 통계의 와이블 분포와 신뢰성. 다음 책: PackagingBook과 FailureBook이 이 책의 도구를 바로 쓴다.