슈뢰딩거 방정식
2장에서 전자가 파동처럼 간섭한다는 것을 보았다. 그렇다면 그 파동은 어떤 방정식을 따라 움직이는가? 뉴턴의 \(F = ma\)가 공의 궤적을 정해 주듯, 슈뢰딩거 방정식은 파동함수 \(\Psi(x,t)\)의 변화를 정해 준다. 이 장에서는 방정식을 세우고, 그 해가 무엇을 뜻하는지(확률), 무엇을 계산할 수 있는지(기댓값), 왜 에너지가 띄엄띄엄해지는지(경계 조건)를 차례로 만져 본다. 아래 상자 속 전자 파속을 눌러 다시 던져 보라.
- 평면파와 \(E = \hbar\omega\), \(p = \hbar k\)에서 시간 의존 슈뢰딩거 방정식을 이끌어 낸다.
- 보른 해석으로 \(|\Psi|^2\)를 확률 밀도로 읽고, 파동함수를 정규화하며 구간 확률과 확률 흐름을 계산한다.
- 위치·운동량·에너지 연산자로 기댓값 \(\langle x\rangle\), \(\langle p\rangle\)와 표준편차 \(\Delta x\), \(\Delta p\)를 구한다.
- 변수 분리로 시간 독립 방정식을 얻고, 정상 상태의 위상 회전과 두 정상 상태 중첩의 맥놀이 주기 \(h/(E_2 - E_1)\)를 계산한다.
- 허용되는 파동함수의 조건을 말하고, 슈팅법으로 "꼬리가 0이 되는 에너지"만 허용됨을 보인다.
- 자유 입자 가우스 파속의 퍼짐 \(\sigma(t) = \sigma_0\sqrt{1 + (\hbar t/2m\sigma_0^2)^2}\)을 유효 질량과 함께 다룬다.
파동 방정식이 필요한 이유
고전 역학에서는 처음 위치 \(x_0\)와 속도 \(v_0\)를 알면 \(F = ma\)로 이후의 궤적 \(x(t)\)가 모두 정해진다. 그런데 전자는 이중 슬릿에서 간섭 무늬를 만들고, 원자 속에서는 특정 에너지만 가진다. 궤적 하나로는 이런 현상을 설명할 수 없다. 전자의 상태는 공간에 퍼진 파동함수(wave function) \(\Psi(x,t)\)로 기술해야 하고, 그러면 "처음 \(\Psi(x,0)\)이 주어졌을 때 나중의 \(\Psi(x,t)\)를 정해 주는 방정식"이 필요하다.
평면파에서 방정식 세우기
가장 단순한 물질파는 운동량이 정해진 자유 전자의 평면파(plane wave)다. 2장의 드브로이 관계 \(p = h/\lambda = \hbar k\)와 아인슈타인 관계 \(E = hf = \hbar\omega\)를 쓰면, 이 파동은
우리가 찾는 방정식은 이 평면파를 해로 가지면서 자유 입자의 에너지 관계 \(E = p^2/2m\)을 담아야 한다. 시간으로 한 번, 공간으로 두 번 미분해 보면 길이 보인다.
- 출발점: 운동량 \(p = \hbar k\), 에너지 \(E = \hbar\omega\)인 복소 평면파.
- 시간으로 미분하면 \(\omega\)가 앞으로 나온다. \(i\hbar\,\partial/\partial t\)를 걸면 에너지 \(E\)가 곱해진다.
- 공간으로 두 번 미분하면 \(-k^2\)이 나온다. \(-(\hbar^2/2m)\partial^2/\partial x^2\)은 운동 에너지 \(p^2/2m\)을 곱한다.
- 에너지 보존 \(E = K + V\)를 연산으로 옮긴 것이 시간 의존 슈뢰딩거 방정식이다.
질량 \(m\)인 입자가 퍼텐셜 에너지 \(V(x)\) 속에 있을 때 파동함수는 다음을 따른다.
이 방정식은 세 가지 점에서 고전 파동 방정식과 다르다. ① 시간 미분이 한 번뿐이라 처음 \(\Psi(x,0)\)만 알면 미래가 정해진다. ② 계수에 \(i\)가 있어 해는 본질적으로 복소수다. ③ 선형이라 두 해의 합도 해다(중첩 원리). 자유 입자의 분산 관계는 \(\omega = \hbar k^2/2m\)으로 빛(\(\omega = ck\))과 달리 \(k\)의 제곱에 비례한다.
질량 1.00 \(m_e\)인 입자의 드브로이 파장이 \(\lambda =\) 0.50이면 \(k = 2\pi/\lambda =\) , 운동 에너지 \(E = \hbar^2k^2/2m =\) , 각진동수 \(\omega = E/\hbar =\) 이다. 마루가 움직이는 위상 속도 \(\omega/k\)는 , 파속이 움직이는 군속도 \(d\omega/dk = \hbar k/m\)는 — 입자의 실제 속도는 군속도이고, 정확히 위상 속도의 2배다.
드브로이 파장 0.50 nm인 자유 전자의 파수 \(k\), 운동 에너지 \(E\), 각진동수 \(\omega\), 군속도와 위상 속도를 구하라.
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결정 속 전자는 원자핵 수십억 개가 만드는 복잡한 주기 퍼텐셜을 느끼지만, 띠 바닥 근처에서는 그 효과가 질량 하나로 요약된다. 전도대 전자의 포락 함수는 \(m\)을 유효 질량(effective mass) \(m^*\)로 바꾼 같은 슈뢰딩거 방정식을 따른다: 실리콘 Δ 계곡의 가로 질량 \(m_t^* = 0.19\,m_e\), 세로 질량 \(m_l^* = 0.98\,m_e\), GaAs \(m^* = 0.067\,m_e\). 이 장의 모든 시뮬레이터에 \(m^*\)를 넣을 수 있게 한 이유다. 같은 \(\lambda\)에서 에너지는 \(1/m^*\)배가 되므로, GaAs 전자는 자유 전자보다 15배 높은 구속 에너지를 얻는다. 왜 그런지는 12장 에너지 띠에서 다룬다. → SemiBooks: 결정과 에너지 띠
보른 해석: 확률 밀도와 정규화
\(\Psi\)는 복소수이므로 직접 측정할 수 있는 양이 아니다. 1926년 보른(M. Born)은 \(\Psi\)의 절댓값 제곱이 입자를 발견할 확률 밀도라고 해석했다. 2장 이중 슬릿의 전자 하나하나는 화면의 한 점에만 찍히지만, 수천 개를 모으면 \(|\Psi|^2\) 모양의 간섭 무늬가 된다.
시각 \(t\)에 입자의 위치를 측정해 \(a\)와 \(b\) 사이에서 발견할 확률은
입자는 어딘가에는 반드시 있으므로 전체 확률은 1이어야 한다. 이것을 정규화(normalization) 조건이라 한다.
폭 \(L\)인 상자 속 전자가 \(\psi = \sqrt{2/L}\,\sin(2\pi x/L)\) 상태에 있다. 위치를 여러 번 측정하면 측정값이 가장 많이 모이는 곳은?
측정 한 번, 점 하나: 히스토그램이 |ψ|²이 될 때까지
폭 \(L\)인 상자(\(0 \le x \le L\)) 속 입자의 파동함수가 \(\psi(x) = A\,x(L - x)\)이다. (a) 정규화 상수 \(A\)를 구하라. (b) \(0 \le x \le L/4\)에서 발견할 확률을 구하고, 바닥 상태 \(\sqrt{2/L}\sin(\pi x/L)\)의 값과 비교하라.
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확률 흐름
확률이 한 곳에서 줄면 다른 곳에서 늘어야 한다. 슈뢰딩거 방정식에서 직접 이끌 수 있는 확률 흐름(probability current) \(j\)는 단위 시간에 한 점을 지나가는 확률이며, 전하의 연속 방정식과 똑같은 꼴을 만족한다.
n형 실리콘에서 농도 \(n = 1.0\times10^{18}\) cm⁻³의 전자들이 모두 운동 에너지 0.050 eV로 한 방향으로 움직인다고 하자(평면파, 전도 유효 질량 \(m^* = 0.26\,m_e\)). 확률 흐름에 전하를 곱해 전류 밀도를 구하라.
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소자 시뮬레이터가 계산하는 전류 밀도 \(J\)는 결국 \(e\,j\)의 합이다. 드리프트–확산 모형의 \(J = qn\mu E + qD\,dn/dx\)는 수많은 전자의 확률 흐름을 산란으로 평균한 결과이고, 연속 방정식 \(\partial n/\partial t = (1/q)\,\partial J/\partial x + G - R\)은 위의 \(\partial|\Psi|^2/\partial t + \partial j/\partial x = 0\)에 생성·재결합을 더한 것이다. 게이트 산화막 1–2 nm를 지나는 터널 전류도 장벽 너머의 확률 흐름으로 계산한다(6장). → SemiBooks: 캐리어 수송
연산자와 기댓값
같은 상태를 여러 번 준비해 위치를 재면 결과가 흩어진다. 그 평균이 기댓값(expectation value)이다. 확률 밀도가 \(|\Psi|^2\)이므로 위치의 기댓값은 바로 쓸 수 있다.
운동량은 \(x\)의 함수가 아니므로 같은 방법으로는 구할 수 없다. 평면파 단계에서 본 대응 \(p \leftrightarrow -i\hbar\,\partial/\partial x\)를 써서, 물리량마다 연산자(operator)를 정하고 \(\Psi^*\)와 \(\Psi\) 사이에 끼워 적분한다.
| 물리량 | 연산자 | 비고 |
|---|---|---|
| 위치 \(x\) | \(\hat x = x\) | 곱하기 |
| 운동량 \(p\) | \(\hat p = -i\hbar\,\dfrac{\partial}{\partial x}\) | 평면파 \(e^{ikx}\)에 걸면 \(\hbar k\) |
| 운동 에너지 \(K\) | \(\hat K = \dfrac{\hat p^2}{2m} = -\dfrac{\hbar^2}{2m}\dfrac{\partial^2}{\partial x^2}\) | 곡률이 클수록 크다 |
| 퍼텐셜 에너지 | \(V(x)\) | 곱하기 |
| 전체 에너지 | \(\hat H = \hat K + V\) 또는 \(i\hbar\,\partial/\partial t\) | 슈뢰딩거 방정식은 두 형태가 같다는 말 |
중요한 결과 하나: 파동함수가 (전체 위상을 빼면) 실수이면 \(\langle p\rangle = 0\)이다. \(\langle p\rangle = -i\hbar\int\psi\psi'\,dx = -\tfrac{i\hbar}{2}[\psi^2]_{-\infty}^{\infty} = 0\)이기 때문이다. 정지한 정상파는 오른쪽·왼쪽으로 가는 성분을 똑같이 가진다. 알짜 운동량을 가지려면 위치에 따라 위상이 변해야(\(e^{ikx}\) 꼴) 한다.
두께 \(L = 5.0\) nm인 실리콘 나노시트를 무한 우물로 보고, 바닥 상태 \(\psi_1 = \sqrt{2/L}\sin(\pi x/L)\)에 있는 전자의 \(\langle x\rangle\), \(\Delta x\), \(\langle p\rangle\), \(\Delta p\)와 곱 \(\Delta x\Delta p\)를 구하라.
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폭 5.0인 무한 우물의 \(n =\) 1 상태에서 \(\Delta x =\) , \(\Delta p = n\pi\hbar/L =\) 이고, 곱은 \(\Delta x\Delta p =\) 이다. 실수 파동함수라 \(\langle p\rangle = 0\)이므로 에너지는 \(E_n = (\Delta p)^2/2m^*\): 유효 질량 0.19 \(m_e\)이면 . 우물을 좁히면 위치는 더 확실해지지만 운동량 퍼짐과 에너지가 커진다 — 이것이 양자 구속 에너지다.
슈뢰딩거 방정식에서 \(\dfrac{d\langle x\rangle}{dt} = \dfrac{\langle p\rangle}{m}\), \(\dfrac{d\langle p\rangle}{dt} = \left\langle -\dfrac{\partial V}{\partial x}\right\rangle\)을 증명할 수 있다. 기댓값은 뉴턴 법칙을 (평균으로) 따른다. 파속이 퍼텐셜이 변하는 길이보다 훨씬 작으면 \(\langle -V'\rangle \approx -V'(\langle x\rangle)\)이 되어 고전 역학이 그대로 돌아온다 — 대응 원리다.
변수 분리와 정상 상태
퍼텐셜이 시간에 따라 변하지 않으면 \(\Psi(x,t) = \psi(x)\,\phi(t)\)로 놓아 공간과 시간을 분리할 수 있다. 방정식에 넣고 양변을 \(\psi\phi\)로 나누면
시간 쪽은 바로 풀린다: \(\phi(t) = e^{-iEt/\hbar}\). 공간 쪽은 이 장의 나머지와 5–8장 전체가 푸는 방정식이다.
중첩과 맥놀이
방정식이 선형이므로 정상 상태들의 합도 해다. 에너지가 다른 두 정상 상태를 섞으면
개별 위상 \(E_n t/\hbar\)는 에너지의 기준점(0을 어디로 잡느냐)에 따라 달라지므로 관측할 수 없다. 관측되는 것은 에너지 차이뿐이다. 맥놀이 주기 \(T = h/(E_2 - E_1)\)에 맞는 진동수의 빛을 흡수·방출하는 것이 3장 보어 진동수 조건의 정체다.
상자 속 전자가 바닥 상태 \(\psi_1\) 하나에만 있다. 시간이 지나면 \(\langle x\rangle\)은 어떻게 되는가?
정상 상태 중첩: 위상 화살표를 끌어 출렁임 만들기
폭 5.0, 유효 질량 0.19 \(m_e\)인 무한 우물에서 \(E_1 =\) , \(E_2 - E_1 = 3E_1 =\) 이다. 두 상태를 섞으면 전자 구름은 \(T = h/(E_2 - E_1) =\) 마다 한 번 왕복하고, 그 진동수 는 파장 의 빛과 같다 — 이 빛으로 두 준위 사이 전이(띠 안 전이)를 일으킨다.
두께 5.0 nm 실리콘 우물(\(m^* = 0.19\,m_e\), 무한 우물 근사)에서 전자가 \(\Psi = (\psi_1 + \psi_2)/\sqrt2\) 상태로 준비되었다. \(|\Psi|^2\)의 출렁임 주기와, 같은 진동수를 가진 빛의 파장을 구하라.
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허용되는 파동함수와 슈팅법
시간 독립 방정식은 \(\psi'' = \dfrac{2m}{\hbar^2}\,[V(x) - E]\,\psi\)로 쓸 수 있다. 이것은 "곡률 규칙"이다. \(E > V\)인 고전적 허용 영역(classically allowed region)에서는 \(\psi''\)이 \(\psi\)와 반대 부호라 \(\psi\)가 축 쪽으로 휘어 진동하고, \(E < V\)인 금지 영역(forbidden region)에서는 같은 부호라 축에서 멀어지며 지수적으로 커지거나 줄어든다.
측정 확률로 해석하려면 \(\psi\)가 아무 함수나 될 수는 없다.
① \(\psi\)는 어디서나 유한하고 한 값을 가진다. ② \(\psi\)는 연속이다. ③ \(V\)가 유한한 곳에서는 \(d\psi/dx\)도 연속이다(무한 벽에서만 꺾일 수 있다). ④ 속박 상태는 정규화할 수 있다: \(|x| \to \infty\)에서 \(\psi \to 0\).
슈팅법: 에너지를 맞추면 꼬리가 0이 된다
시간 독립 방정식은 2계 상미분 방정식이므로 \(\psi\)와 \(\psi'\)을 한 점에서 정하고 에너지 \(E\)를 고르면 \(x\)를 따라 한 걸음씩 적분할 수 있다. 왼쪽 금지 영역 깊숙이 \(\psi \approx 0\)에서 출발해 오른쪽으로 "쏘아" 보자. 아무 \(E\)나 고르면 오른쪽 금지 영역에서 \(e^{+\kappa x}\) 성분이 살아남아 꼬리가 \(+\infty\)나 \(-\infty\)로 날아간다. 꼬리가 정확히 0으로 내려앉는 특별한 에너지에서만 정규화 가능한 해가 된다. 이것이 슈팅법(shooting method)이고, 에너지 양자화의 가장 직관적인 설명이다.
- 왼쪽 금지 영역에서 \(\psi \approx 0\), 아주 작은 기울기로 출발한다(진폭은 나중에 정규화).
- \(E\)가 고윳값보다 조금 낮으면 우물 안에서 덜 휘어, 오른쪽 금지 영역에서 위로 폭주한다.
- \(E\)가 조금 높으면 더 많이 휘어 축을 넘어가고, 아래로 폭주한다.
- 그 사이의 딱 한 에너지에서 꼬리가 0으로 수렴한다. 이 \(E\)가 고윳값이다. 꼬리의 부호가 바뀌는 두 에너지 사이를 이분법으로 좁히면 고윳값을 얼마든지 정확히 찾을 수 있다.
슈팅법으로 찾은 세 번째로 낮은 고윳값(\(n = 3\))의 파동함수는 우물 안에서 축을 몇 번 지나는가(마디 수)?
슈팅법 게임: 꼬리가 0이 되는 에너지 세 개 찾기
포물선 퍼텐셜 \(V = \tfrac12 m\omega^2x^2\) 속 전자에 대해 \(\psi = Ae^{-x^2/2b^2}\)이 시간 독립 방정식의 해가 되는 \(b\)와 그때의 에너지 \(E\)를 구하라. \(b = 0.20\) nm이면 \(E\)와 \(\hbar\omega\)는 몇 eV인가?
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MOSFET 반전층은 위 삼각 우물과 같다. 고전 모형은 전자가 Si/SiO₂ 계면 바로 위에 가장 많다고 예측하지만, 슈뢰딩거 방정식의 해는 계면(무한 벽)에서 0이므로 전자 구름의 중심이 계면에서 약 1 nm 떨어진다. 그 결과 게이트 정전 용량이 줄어 산화막이 약 0.3–0.4 nm 두꺼워진 것처럼 보이고, 첫 준위가 전도대 바닥보다 수십–백수십 meV 높아 문턱 전압이 오른다. 그래서 TCAD는 슈뢰딩거–푸아송 방정식을 자기 일관적으로 풀거나(슈팅법·유한 차분 고윳값 풀이가 그 안에 들어간다), 계산을 줄이려고 밀도 기울기 모형(density-gradient model)으로 양자 보정을 넣는다. → SemiBooks: TCAD, MOS 구조
자유 입자와 파속의 퍼짐
\(V = 0\)이면 시간 독립 방정식의 해는 \(\psi = e^{\pm ikx}\), \(E = \hbar^2k^2/2m\)이고 \(k\)에 제한이 없다 — 에너지가 연속이다. 그러나 \(|e^{ikx}|^2 = 1\)이라 \(\int|\psi|^2dx = \infty\), 평면파는 정규화할 수 없다. 실제 입자는 여러 \(k\)의 평면파를 섞은 파속(wave packet)이다.
가우스 파속 \(\Psi(x,0) \propto e^{-(x - x_0)^2/4\sigma_0^2}e^{ik_0x}\)(\(|\Psi|^2\)의 표준편차 \(\sigma_0\))은 적분을 정확히 할 수 있다. 중심은 군속도 \(v_g = \hbar k_0/m\)로 움직이고, 폭은
가우스 파속 쏘기: 검출기에 가장 좁게 도착시켜라
처음 폭 \(\sigma_0 =\) 2.0, 유효 질량 0.19 \(m_e\)인 전자 파속의 특성 시간은 \(\tau = 2m\sigma_0^2/\hbar =\) 이다. \(t =\) 100 뒤 폭은 (처음의 배)가 된다. 이 시간 동안 \(10^5\) m/s로 달리는 전자는 를 간다.
실리콘 채널에서 \(m^* = 0.19\,m_e\)인 전자가 \(\sigma_0 = 2.0\) nm의 가우스 파속으로 출발했다. (a) 폭이 2배가 되는 시간은? (b) 전자가 \(1.0\times10^5\) m/s로 10 nm 채널을 지나는 데 걸리는 100 fs 뒤의 폭은?
풀이 보기
채널 길이가 전자의 평균 자유 행로(실리콘 반전층에서 약 10–20 nm)에 가까워지면 전자는 산란 없이 소스에서 드레인으로 날아가는 탄도 수송(ballistic transport)에 가까워진다. 이때 전자는 파속처럼 다뤄야 하고, 유효 질량이 작을수록 같은 에너지에서 빠르지만(\(v \propto 1/\sqrt{m^*}\)) 위 시뮬레이터처럼 빨리 퍼지고 터널링도 쉽다. III–V 채널(\(m^* = 0.067\))이 이동도는 높지만 짧은 채널에서 소스–드레인 직접 터널링 누설이 커지는 이유 중 하나다. → SemiBooks: 캐리어 수송, 소자 미세화
핵심 정리
- 시간 의존 슈뢰딩거 방정식 \(i\hbar\,\partial\Psi/\partial t = -(\hbar^2/2m)\,\partial^2\Psi/\partial x^2 + V\Psi\)는 평면파의 \(E = \hbar\omega\), \(p = \hbar k\)와 \(E = p^2/2m + V\)를 연산자 \(i\hbar\,\partial_t\), \(-i\hbar\,\partial_x\)로 옮긴 것이다. 선형이므로 중첩이 성립한다.
- 보른 해석: \(|\Psi|^2\)은 확률 밀도, \(\int_a^b|\Psi|^2dx\)는 구간 확률, \(\int|\Psi|^2dx = 1\)이 정규화. 확률 흐름 \(j = (\hbar/m)\,\mathrm{Im}(\Psi^*\Psi')\)은 연속 방정식을 만족하고, 전하를 곱하면 전류 밀도가 된다.
- 기댓값 \(\langle Q\rangle = \int\Psi^*\hat Q\Psi\,dx\), \(\hat p = -i\hbar\,\partial/\partial x\). 표준편차 \(\Delta x = \sqrt{\langle x^2\rangle - \langle x\rangle^2}\). 실수 파동함수는 \(\langle p\rangle = 0\).
- \(V\)가 시간에 무관하면 \(\Psi = \psi(x)e^{-iEt/\hbar}\)로 분리되고 \(\hat H\psi = E\psi\)가 남는다. 정상 상태는 위상만 돌아 \(|\Psi|^2\)과 기댓값이 변하지 않는다(위상 주기 \(h/E\)).
- 에너지가 다른 정상 상태를 섞으면 \(|\Psi|^2\)이 \(\omega_{21} = (E_2 - E_1)/\hbar\)로 출렁인다(맥놀이 주기 \(h/\Delta E\)). 관측되는 것은 에너지 차이뿐이다.
- 허용되는 \(\psi\)는 유한·연속이고 (유한 \(V\)에서) \(\psi'\)도 연속이며 정규화할 수 있어야 한다. 이 조건 때문에 속박 상태의 에너지는 꼬리가 0이 되는 값으로 양자화되고, \(n\)번째 상태는 마디가 \(n - 1\)개다(슈팅법).
- 자유 입자의 평면파는 정규화할 수 없고 실제 입자는 파속이다. 가우스 파속은 \(v_g = \hbar k_0/m\)로 움직이며 \(\sigma(t) = \sigma_0\sqrt{1 + (\hbar t/2m\sigma_0^2)^2}\)로 퍼진다. 결정 속에서는 \(m \to m^*\).
연습문제
특별한 말이 없으면 \(\hbar^2/2m_e = 0.0381\) eV·nm², \(\hbar = 0.6582\) eV·fs, \(h = 4.136\) eV·fs \(= 6.626\times10^{-34}\) J·s, \(m_e = 9.109\times10^{-31}\) kg, \(e = 1.602\times10^{-19}\) C를 쓴다. 무한 우물은 \(0 \le x \le L\), \(\psi_n = \sqrt{2/L}\sin(n\pi x/L)\), \(E_n = (\hbar^2/2m)(n\pi/L)^2\). 답이 ±1% 이내면 정답이다.
드브로이 파장 0.200 nm인 자유 전자 평면파의 운동 에너지는?
\(k = 2\pi/0.200 = 31.4\) nm⁻¹, \(E = 0.0381\times31.4^2 = 37.6\) eV.
무한 우물의 바닥 상태(\(n = 1\)) 입자를 가운데 1/3 구간 \(L/3 \le x \le 2L/3\)에서 발견할 확률은?
\(P = \tfrac{2}{L}\left[\tfrac x2 - \tfrac{L}{4\pi}\sin\tfrac{2\pi x}{L}\right]_{L/3}^{2L/3} = \tfrac13 - \tfrac{1}{2\pi}\left(\sin\tfrac{4\pi}{3} - \sin\tfrac{2\pi}{3}\right) = \tfrac13 + \tfrac{\sqrt3}{2\pi} = 0.609\). 고르게 퍼져 있다면 0.333이었을 것이다.
\(\psi(x) = Ae^{-|x|/a}\) (\(-\infty < x < \infty\))를 정규화하라. \(a = 0.50\) nm일 때 \(A\)는?
\(\int|\psi|^2dx = 2A^2\int_0^\infty e^{-2x/a}dx = A^2a = 1\) → \(A = 1/\sqrt a = 1/\sqrt{0.50} = 1.41\) nm⁻¹ᐟ².
에너지 1.00 eV인 정상 상태의 위상 \(e^{-iEt/\hbar}\)가 한 바퀴 도는 시간은?
\(T = 2\pi\hbar/E = h/E = 4.136\text{ eV}\cdot\text{fs}/1.00\text{ eV} = 4.14\) fs. 이 주기 자체는 에너지 기준점에 따라 바뀌므로 관측되지 않는다.
폭 2.00 nm 무한 우물의 바닥 상태에서 위치의 표준편차 \(\Delta x\)는?
\(\Delta x = L\sqrt{1/12 - 1/2\pi^2} = 2.00\times0.1808 = 0.362\) nm.
폭 8.0 nm GaAs 양자 우물(\(m^* = 0.067\,m_e\), 무한 우물 근사)에서 \(\psi_1\)과 \(\psi_2\)를 섞은 상태의 \(|\Psi|^2\) 출렁임 주기는?
\(E_1 = (0.0381/0.067)(\pi/8.0)^2 = 0.0877\) eV, \(\Delta E = 3E_1 = 0.263\) eV, \(T = h/\Delta E = 4.136/0.263 = 15.7\) fs.
농도 \(1.0\times10^{17}\) cm⁻³의 전자가 모두 \(1.0\times10^5\) m/s로 한 방향으로 움직이는 평면파로 묘사된다. 확률 흐름 \(j = v|A|^2\)에 전하를 곱한 전류 밀도는 몇 A/cm²인가?
\(|A|^2 = n = 1.0\times10^{23}\) m⁻³, \(J = env = (1.602\times10^{-19})(1.0\times10^{23})(1.0\times10^5) = 1.60\times10^9\) A/m² \(= 1.60\times10^5\) A/cm².
\(\sigma_0 = 1.00\) nm인 자유 전자 가우스 파속의 특성 시간 \(\tau = 2m\sigma_0^2/\hbar\)는?
\(\tau = \hbar\sigma_0^2/(\hbar^2/2m) = 0.6582\times1.00/0.0381 = 17.3\) fs. SI로 \(2(9.109\times10^{-31})(10^{-18})/(1.055\times10^{-34}) = 1.73\times10^{-14}\) s.
어떤 정상 상태 전자의 파동함수가 퍼텐셜 \(V = 0.30\) eV인 점에서 \(\psi''/\psi = -40\) nm⁻²이다. 에너지 \(E\)는?
\(E = V - (\hbar^2/2m)(\psi''/\psi) = 0.30 + 0.0381\times40 = 1.82\) eV. \(\psi''/\psi < 0\)이므로 허용 영역이다.
실리콘에서 가로 유효 질량 \(m^* = 0.19\,m_e\)로 움직이는 전도대 전자의 운동 에너지가 0.100 eV이다. 포락 함수의 파장은?
\(k = \sqrt{Em^*/(\hbar^2/2m_e)} = \sqrt{0.100\times0.19/0.0381} = 0.706\) nm⁻¹, \(\lambda = 2\pi/k = 8.90\) nm. 같은 에너지의 자유 전자(3.88 nm)보다 \(1/\sqrt{0.19}\)배 길다.
\(m^* = 0.19\,m_e\), \(\sigma_0 = 3.0\) nm인 전자 파속이 20 nm 채널을 \(1.0\times10^5\) m/s로 지난다. 드레인에 도착할 때 폭 \(\sigma\)는?
비행 시간 \(t = 20\text{ nm}/(0.10\text{ nm/fs}) = 200\) fs. \(\tau = 0.6582\times9.0/(0.0381/0.19) = 29.5\) fs. \(\sigma = 3.0\sqrt{1 + (200/29.5)^2} = 20.5\) nm.
자유 전자 파속을 100 fs 뒤 검출기에서 가장 좁게 만들고 싶다. 처음 폭 \(\sigma_0\)를 얼마로 해야 하는가? (그때 도착 폭은 \(\sqrt2\,\sigma_0\)다.)
\(d\sigma^2/d(\sigma_0^2) = 1 - (\hbar t/2m)^2/\sigma_0^4 = 0\) → \(\sigma_0 = \sqrt{\hbar t/2m} = \sqrt{(1.055\times10^{-34})(1.0\times10^{-13})/(2\times9.109\times10^{-31})} = 2.41\) nm. 도착 폭은 3.40 nm. 파속 시뮬레이터의 게임과 같은 계산이다.
\(\Psi(x,0) = \dfrac{1}{\sqrt2}\left(\psi_1 + i\psi_2\right)\)(무한 우물)인 상태에 대해 옳은 것은?
교차항이 순허수 계수를 가지므로 \(|\Psi|^2 = \tfrac12(\psi_1^2 + \psi_2^2)\) — 대칭이라 \(\langle x\rangle = L/2\). 그러나 \(\Psi\)가 실수가 아니어서 \(\langle p\rangle = \hbar\int_0^L\psi_1\psi_2'\,dx = -\dfrac{8\hbar}{3L} \ne 0\): 기댓값 미니 실험에서 \(\varphi = 90^\circ\)인 경우다. 곧 \(\langle x\rangle\)이 움직이기 시작한다(\(d\langle x\rangle/dt = \langle p\rangle/m\)).
퍼텐셜이 어디서나 유한한 1차원 속박 문제에서 허용되는 파동함수는?
\(\tan x\)는 무한대가 되고, \(e^{x^2}\)은 정규화할 수 없다. \(e^{-|x|}\)는 \(x = 0\)에서 \(\psi'\)이 불연속이라 그곳에 무한대(델타 함수) 퍼텐셜이 있어야 한다. \(xe^{-x^2}\)는 매끄럽고 정규화할 수 있다(마디 1개 — 첫 들뜬 상태 꼴).
개념 확인 퀴즈
1차원 파동함수 \(\Psi(x)\)의 단위는?
정상 상태 \(\Psi = \psi(x)e^{-iEt/\hbar}\)에서 시간에 따라 변하는 것은?
상자 속 전자가 \((\psi_1 + \psi_2)/\sqrt2\) 상태에 있다. 에너지를 측정하면?
속박 상태의 에너지가 띄엄띄엄한 직접적인 이유는?
같은 처음 폭의 가우스 파속을 자유 전자와 GaAs 전자(\(m^* = 0.067\,m_e\))로 만들었다. 옳은 것은?